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硅钼棒

硅钼棒

二硅化钼（MoSi2)电热元件主要是以硅粉和钼粉为原料，用粉末冶金方法经挤压、烧结而成，简称硅钼棒。这种元件在氧化气氛中可以用到1650℃，是目前工业上在氧化气氛中使用温度最高

摘要
硅钼棒

关键词：硅钼棒,二硅化钼,MoSi2,电热元件,石英玻璃膜,抗氧化性,变形,冷热急变性,电阻率,升华,真空度,冷端

硅钼棒
　　二硅化钼（MoSi2)电热元件主要是以硅粉和钼粉为原料，用粉末冶金方法经挤压、烧结而成，简称硅钼棒。这种元件在氧化气氛中可以用到1650℃，是目前工业上在氧化气氛中使用温度最高的电热元件。
　　硅钼棒的形状主要有U形、W形和O形三种，这是因为硅钼棒在高温下的热塑性较大，以避免水平放置时在自重作用下的变形和便于克服高温线膨胀。它与柄形硅碳棒相同，其冷端部加粗，以增大断面面积，使电阻降低。
硅钼棒
　　硅钼棒在氧化气氛下加热到1200℃以上发生如下反应：
　　2MoSi2 + 7O2→2MoO3↑+4SiO2
　　MoO3挥发掉，SiO2就附在元件表面生成致密的石英玻璃膜，保护基体不再氧化。因此，硅钼棒的抗氧化性很好，在氧化气氛下最高使用温度可达1700℃(低于石英溶点1713℃)。如因为机械的或化学的损伤而破坏了Si02膜，在使用过程中还会自动再次生成。
　　硅钼棒的性能与金属陶瓷材料相似，在室温下既硬又脆，抗冲击强度较低；抗弯、抗拉强度较好; 在1350℃以上便会发生塑性变形，伸长率约5%。冷热急变性良好，冷却后恢复脆性。硅钼棒的电阻率较小，其电阻-温度特性与金属的相似，为正温度特性，从室温到高温，电阻率随温度增长较快，因而具有可自动防止升温过快的优点。
　　硅钼棒特别适于在空气、氮、二氧化碳和惰性气体（氦、氖、氩）中工作，在还原性气氛(CO、分解氨和碳氢化合物）中也得到很好的效果，水蒸气对其无害，氢会破坏其保护膜，而形成一种碳氢化合物，但当温度低于1350℃时仍能应用。氢气的露点越低 (即水分含量越低），硅钼棒的允许使用温度越低。硫、氟、氯和碱对元件有害，酸类对元件发生反应，应避免接触。硅钼棒在各种气氛中的最高使用温度见表。

表 硅钼棒在各种气氛中的最高使用温度
炉内气氛 最高使用温度/℃
空气及氧 1700
氮 1550
干氢 1350
湿氢（露点10℃) 1400
分解氨 1400
惰性气体(氦、氖、氩） 1500
一氧化碳 1500
二氧化碳 1600
二氧化氮 1700
二氧化疏 1600
甲烷 1350
真空：1.33Pa 1300
1.33×10-2Pa 1000
　　硅钼棒在真空高温下会发生升华，真空度越高，其最高使用温度极限越低。
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